单晶硅长晶工艺

STC在长晶基础上进行单晶硅棒切割成型工艺。

STC采用直拉法(CZ)进行长晶工艺。将高纯度多晶硅和用来调节电阻率的掺杂剂一起放入石英坩埚中，
加热至1420摄氏度左右熔化。然后，将一根籽晶放在熔化的硅表面，旋转拉动它们，而后形成与籽晶同样晶向的单晶硅片。